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湖南软启动器可控硅击穿的原因

发布时间:2019-07-09 09:57 人气:

         湖南软启动器中的可控硅是整个产品主要的控制元件,它坏了就意味着软启动器不能够正常的工作了,即使是其他部分为比较好的,通常软启动器可控硅损坏的现象是烧坏了,专业点叫做击穿,那软启动器可以控硅被击穿的原因会有些需求。

        过压击穿是可控硅击穿的重要原因之一,大部分的软启动损坏主要的原因,可以控硅对过压的承受能力是没有时间的,这样使在几毫秒的短时间内过压会被击穿的,所以实际应用电路中,从而确保可控硅两端一定要接入吸收回路,这就避免了各种无规则的干扰脉冲而引起的瞬间过压情况,一般成熟的软启动器会配有这种保护电路。如果软启动器经常性发生可控硅击穿,检查下吸收回路的各个元件是否有烧坏或是失效的情况。
         软启动器可控硅击穿是设备停止时电机的反向电压,不同转速的电机在停止时因惯性产生反向电动势高低也是不同的,转速越高则反向电压就会越高,那么对软启动器的伤害会是越大,因为这种反身电压是直接加在软启动端,像是两极电机这类风机设备,转速一般是软启动设置时建议把停机模式设置为自由停机的模式,从而减小向反电压对软启动器的伤害情况,延长软启动器的使用时间。软启动器的过热击穿是指在工作电流且不超过可控硅额定电流的情况下所发生的热击穿,原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良所引起的可控硅芯片温度过高而导致的击穿现象。
 
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